Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R8003KND3TL1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R8003KND3TL1-DG
Περιγραφή:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 3A (Ta) 45W (Ta) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
988 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12977632
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R8003KND3TL1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
300 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
45W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
R8003
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-R8003KND3TL1TR
846-R8003KND3TL1DKR
846-R8003KND3TL1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF730APBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRFBE20PBF-BE3
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
GT6K2P10IH
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
