Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6547KNZ4C13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6547KNZ4C13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 47A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
12851596
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6547KNZ4C13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
47A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1.72mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
480W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6547
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
846-R6547KNZ4C13
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPA028N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP
R6012JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
IRFR210BTM_FP001
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
