Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6511ENJTL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6511ENJTL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount LPTS
Αποθέμα:
90 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851279
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
qWD6
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6511ENJTL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 320µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
124W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTS
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6511
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-R6511ENJTLTR
846-R6511ENJTLDKR
846-R6511ENJTLCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IAUS300N08S5N012ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
