R6511ENJTL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6511ENJTL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6511ENJTL-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount LPTS

Αποθέμα:

90 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851279
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
EgYZ
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6511ENJTL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 320µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
124W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTS
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6511

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-R6511ENJTLTR
846-R6511ENJTLDKR
846-R6511ENJTLCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IAUS300N08S5N012ATMA1

MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8

onsemi

FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDD16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK

infineon-technologies

BSZ058N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON