Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6507KND3TL1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6507KND3TL1-DG
Περιγραφή:
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
2478 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967356
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6507KND3TL1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 200µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6507
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-R6507KND3TL1DKR
846-R6507KND3TL1TR
846-R6507KND3TL1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ3P300BHTB1
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
R6507KNXC7G
650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
RX3L07BGNC16
NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
