Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6047ENZ4C13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6047ENZ4C13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
9 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851395
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6047ENZ4C13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
47A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
72mOhm @ 25.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3850 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
481W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6047
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
846-R6047ENZ4C13
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHG40N60E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
809
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHG40N60E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDS7098N3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
AUIRFR3607
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
R6076ENZ4C13
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
