Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6035VNXC7G
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6035VNXC7G-DG
Περιγραφή:
600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220FM
Αποθέμα:
1050 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12976144
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
Fhyn
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6035VNXC7G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
114mOhm @ 8A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 1.1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
81W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6035
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
846-R6035VNXC7G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6077VNZ4C13
600V 77A TO-247, PRESTOMOS WITH
R6055VNZ4C13
600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH
R6018VNXC7G
600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
