Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6025JNZC17
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6025JNZC17-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Αποθέμα:
300 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12810859
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6025JNZC17 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1900 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
85W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6025
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
300
Άλλα ονόματα
846-R6025JNZC17
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6020KNZC17
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
IPT60R065S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
IPN60R360PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
