R6025JNZC17
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6025JNZC17

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6025JNZC17-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF

Αποθέμα:

300 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12810859
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6025JNZC17 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1900 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
85W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6025

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
300
Άλλα ονόματα
846-R6025JNZC17

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R6020KNZC17

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

infineon-technologies

IPT60R065S7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF

infineon-technologies

IPN60R360PFD7SATMA1

MOSFET N-CH 600V 10A SOT223

infineon-technologies

IMZA65R048M1HXKSA1

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH