R6020JNZC17
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6020JNZC17

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6020JNZC17-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 76W (Tc) Through Hole TO-3PF

Αποθέμα:

299 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12823354
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6020JNZC17 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Bag
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
234mOhm @ 10A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
7V @ 3.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
45 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
76W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6020

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
300
Άλλα ονόματα
846-R6020JNZC17

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IRFS33N15D

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

infineon-technologies

IRL1404ZSPBF

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFB7545PBF

MOSFET N-CH 60V 95A TO220

littelfuse

IXFT40N30Q

MOSFET N-CH 300V 40A TO268