Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
R6013VND3TL1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
R6013VND3TL1-DG
Περιγραφή:
600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 131W (Tc) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
2561 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001570
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
R6013VND3TL1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 3A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
131W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6013VN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-R6013VND3TL1TR
846-R6013VND3TL1DKR
846-R6013VND3TL1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMTH45M5LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
GT060N04K
MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
GT090N06K
MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
