R6009KNJTL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R6009KNJTL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R6009KNJTL-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS

Αποθέμα:

RFQ Online
13525240
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R6009KNJTL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
94W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTS
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
R6009

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων
R6009KNJTL LPTS TL Taping Spec

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
R6009KNJTLTR
R6009KNJTLCT
R6009KNJTLDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFA14N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
50
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFA14N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTA8N65X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
90
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTA8N65X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTA14N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
235
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTA14N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB11NM60T4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
622
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB11NM60T4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.81
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R6010ANX

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

rohm-semi

RQ6E060ATTCR

MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6

rohm-semi

RTR020P02TL

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3

rohm-semi

RSJ250P10TL

MOSFET P-CH 100V 25A LPTS