Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QS8J11TCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QS8J11TCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8
Αποθέμα:
13525231
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QS8J11TCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2600pF @ 6V
Ισχύς - Μέγιστη
550mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Βασικός αριθμός προϊόντος
QS8J11
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
QS8J11TCRDKR
QS8J11TCRTR
QS8J11TCRCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
QS8J2TR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7544
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
QS8J2TR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8654-TL-H
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
189
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8654-TL-H-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SP8K24FRATB
MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOP
SP8M9TB
MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP
SH8K25GZ0TB
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOP
