QS6U24TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

QS6U24TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

QS6U24TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Αποθέμα:

11255 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527506
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

QS6U24TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.7 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
90 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.25W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT6 (SC-95)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
QS6U24

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Έγγραφα αξιοπιστίας
TSMT6 MOS DI Reliability Test
Φύλλα δεδομένων
QS6U24TR TSMT6 TR Taping Spec TSMT6MD Inner Structure

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
QS6U24DKR
QS6U24CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R6012ANX

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

rohm-semi

SCT2450KEC

SICFET N-CH 1200V 10A TO247

rohm-semi

R6007KNJTL

MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

rohm-semi

RDN120N25

MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN