QS5U17TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

QS5U17TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

QS5U17TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5

Αποθέμα:

8691 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526444
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

QS5U17TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
175 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
900mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT5
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Βασικός αριθμός προϊόντος
QS5U17

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
QS5U17CT
QS5U17DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RDN100N20FU6

MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

rohm-semi

RQ6E080AJTCR

MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6

rohm-semi

RE1C002ZPTL

MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F

rohm-semi

RTQ045N03TR

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6