Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HS8MA2TCR1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HS8MA2TCR1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN3333-9DC
Αποθέμα:
710 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967425
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HS8MA2TCR1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Ta), 7A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN3333-9DC
Βασικός αριθμός προϊόντος
HS8MA2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-HS8MA2TCR1DKR
846-HS8MA2TCR1CT
846-HS8MA2TCR1TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AO8801A_001
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
CSD86356Q5DT
MOSFET 25V
PMDXB550UNE,147
NEXPERIA PMDXB550UNE - SMALL SIG
