Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ES6U41T2R
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ES6U41T2R-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Αποθέμα:
13521003
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ES6U41T2R Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
80 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WEMT
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
8,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
US5U1TR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2995
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
US5U1TR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2SK2463T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
BSM400C12P3G202
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
2SK2503TL
MOSFET N-CH 60V 5A CPT3