Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
ΛΔ Κονγκό
Αργεντινή
Τουρκία
Ρουμανία
Λιθουανία
Νορβηγία
Αυστρία
Αγκόλα
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Λευκορωσία
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Μαυροβούνιο
Ρωσικά
Βέλγιο
Σουηδία
Σερβία
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Μολδαβία
Γερμανία
Ολλανδία
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
Γαλλία
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Πορτογαλία
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Ισπανία
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EMH11FHAT2R
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EMH11FHAT2R-DG
Περιγραφή:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Αποθέμα:
RFQ Online
13520769
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EMH11FHAT2R Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
-
Αντίσταση - Βάση (R1)
10kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
10kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
-
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Ισχύς - Μέγιστη
150mW
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
EMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
EMH11
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
EMH11FHAT2RCT
EMH11FHAT2RTR
EMH11FHAT2RDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PEMD3,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PEMD3,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN4982FE,LF(CT
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3035
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN4982FE,LF(CT-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1902FE,LF(CT
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
22
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1902FE,LF(CT-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NSBC114EDXV6T1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NSBC114EDXV6T1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PEMD3,315
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PEMD3,315-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EMH61T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMA8T2R
TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
EMD3T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMH11T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6