EMG5T2R
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EMG5T2R

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EMG5T2R-DG

Περιγραφή:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Αποθέμα:

2995 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13523835
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EMG5T2R Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
10kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
47kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Ισχύς - Μέγιστη
150mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
EMT5
Βασικός αριθμός προϊόντος
EMG5T2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
EMG5T2RCT
EMG5T2RDKR
EMG5T2RTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1707JE(TE85L,F)
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3872
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1707JE(TE85L,F)-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

EMF21T2R

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

rohm-semi

EMA3T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W

rohm-semi

EMD4T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMG8T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5