EMF8T2R
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EMF8T2R

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EMF8T2R-DG

Περιγραφή:

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6

Αποθέμα:

13523554
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EMF8T2R Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος τρανζίστορ
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA, 500mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V, 12V
Αντίσταση - Βάση (R1)
47kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
47kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz, 320MHz
Ισχύς - Μέγιστη
150mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
EMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
EMF8T2

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
8,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

EMH4T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMF24T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

rohm-semi

EMH10T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMD12T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6