EMB3FHAT2R
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EMB3FHAT2R

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EMB3FHAT2R-DG

Περιγραφή:

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Αποθέμα:

7994 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12966507
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EMB3FHAT2R Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος τρανζίστορ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
4.7kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
-
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA (ICBO)
Συχνότητα - Μετάβαση
250MHz
Ισχύς - Μέγιστη
150mW
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
EMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
EMB3FHAT2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
846-EMB3FHAT2RTR
846-EMB3FHAT2RDKR
846-EMB3FHAT2RCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1904,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1901,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1906,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP