EM6M2T2R
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EM6M2T2R

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EM6M2T2R-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6

Αποθέμα:

118428 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13521700
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EM6M2T2R Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 200mA, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
25pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
150mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
EMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
EM6M2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
EM6M2T2RDKR
Q8377420
EM6M2T2RTR
EM6M2T2R-ND
EM6M2T2RCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

EM6K33T2R

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6

rohm-semi

EM6J1T2R

MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6

rohm-semi

EM6M1T2R

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

rohm-semi

BSM080D12P2C008

SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE