Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSS84XHZGG2CR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSS84XHZGG2CR-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Αποθέμα:
4070 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12948441
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSS84XHZGG2CR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 100µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
34 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN1010-3W
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSS84
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
846-BSS84XHZGG2CRTR
846-BSS84XHZGG2CRCT
846-BSS84XHZGG2CRDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STD2LN60K3
MOSFET N CH 600V 2A DPAK
RV8C010UNHZGG2CR
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
