Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSS670T116
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSS670T116-DG
Περιγραφή:
NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Αποθέμα:
560 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12989117
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSS670T116 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
650mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
680mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 10µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
47 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SST3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-BSS670T116TR
846-BSS670T116DKR
846-BSS670T116CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSS138 RFG
50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
GT105N10K
MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
EPC2306
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
