Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSS138WT106
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSS138WT106-DG
Περιγραφή:
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Αποθέμα:
1958 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12988693
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSS138WT106 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 310mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
UMT3
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-BSS138WT106CT
846-BSS138WT106TR
846-BSS138WT106DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK5A60W5,S5VX
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
