BSS138BKWT106
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BSS138BKWT106

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BSS138BKWT106-DG

Περιγραφή:

NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 380mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Αποθέμα:

20326 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12965658
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BSS138BKWT106 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
380mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
680mOhm @ 380mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 10µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
47 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-323
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSS138

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-BSS138BKWT106DKR
846-BSS138BKWT106TR
846-BSS138BKWT106CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TK2R4E08QM,S1X

UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM

vishay-siliconix

SIR188LDP-T1-RE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SI4484EY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO

vishay-siliconix

SIHA15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST