BSS138BKAHZGT116
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BSS138BKAHZGT116

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BSS138BKAHZGT116-DG

Περιγραφή:

NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Αποθέμα:

5895 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967541
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BSS138BKAHZGT116 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
680mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 10µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
47 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSS138

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-BSS138BKAHZGT116CT
846-BSS138BKAHZGT116TR
846-BSS138BKAHZGT116DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

2SJ387STL-E

P-CHANNEL POWER MOSFET

epc

EPC2070

TRANS GAN DIE 100V .022OHM

renesas-electronics-america

2SJ297-91L

P-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SJ557(0)T1B-AT

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET