Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSM600D12P4G103
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSM600D12P4G103-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 567A (Tc) 1.78kW (Tc) Chassis Mount Module
Αποθέμα:
4 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001987
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSM600D12P4G103 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Box
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Standard
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
567A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.8V @ 291.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
59000pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.78kW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Module
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSM600
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4
Άλλα ονόματα
846-BSM600D12P4G103
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2N7002DWL-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
G2K3N10L6
MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
PSMN045-100HLX
MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
