Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSM450D12P4G102
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSM450D12P4G102-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 447A (Tc) 1.45kW (Tc) Chassis Mount Module
Αποθέμα:
4 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001153
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSM450D12P4G102 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Box
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel
Δυνατότητα FET
Standard
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
447A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.8V @ 218.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
44000pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.45kW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Module
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSM450
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4
Άλλα ονόματα
846-BSM450D12P4G102
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SH8JE5TB1
MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8SOP
NXH020F120MNF1PTG
SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
PJT7808_R2_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
