UPA1857GR-9JG-E1-A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

UPA1857GR-9JG-E1-A

Product Overview

Κατασκευαστής:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

UPA1857GR-9JG-E1-A-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8TSSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 3.8A 1.7W Surface Mount 8-TSSOP

Αποθέμα:

12859979
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

UPA1857GR-9JG-E1-A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Renesas Electronics Corporation
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
67mOhm @ 2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
580pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.7W
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
UPA1857

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTMD6P02R2SG

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

onsemi

NTMFD4C85NT3G

MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN

onsemi

NTND31015NZTAG

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A 6XLLGA

onsemi

NTLJD3119CTAG

MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN