RJK03M4DPA-00#J5A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RJK03M4DPA-00#J5A

Product Overview

Κατασκευαστής:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RJK03M4DPA-00#J5A-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 35A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK

Αποθέμα:

6000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12864437
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RJK03M4DPA-00#J5A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Renesas Electronics Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2170 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-WPAK
Συσκευασία / Θήκη
8-WFDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
RJK03M4

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
-1161-RJK03M4DPA-00#J5ACT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRF540STRR

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

infineon-technologies

IRFSL7534PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO262

vishay-siliconix

IRF9540PBF

MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB

vishay-siliconix

IRFIB5N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220-3