Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NP100N04PUK-E1-AY
Product Overview
Κατασκευαστής:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NP100N04PUK-E1-AY-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
Αποθέμα:
1600 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12861398
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NP100N04PUK-E1-AY Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Renesas Electronics Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7050 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
NP100N04
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Σχέδια προϊόντων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
-1161-NP100N04PUK-E1-AY
NP100N04PUK-E1-AY-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYCT
559-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AY-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
MTM231232LBF
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B
IRLR8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
