KGF20N05D
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

KGF20N05D

Product Overview

Κατασκευαστής:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

KGF20N05D-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 5.5V 20A 20WLCSP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 5.5V 20A (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount 20-WLCSP (2.48x1.17)

Αποθέμα:

12816860
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

KGF20N05D Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Renesas Electronics Corporation
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Source
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
5.5V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tj)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.7nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
865pF @ 5V
Ισχύς - Μέγιστη
2.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
20-UFLGA, CSP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
20-WLCSP (2.48x1.17)
Βασικός αριθμός προϊόντος
KGF20

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
559-KGF20N05DTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
fairchild-semiconductor

SSD2007ATF

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

microchip-technology

LP1030DK1-G

MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5

fairchild-semiconductor

FDZ2553N

MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA

fairchild-semiconductor

NDS8936

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC