Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
HAT2185WPWS-E
Product Overview
Κατασκευαστής:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
HAT2185WPWS-E-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 150V 10A 8WPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 10A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)
Αποθέμα:
12853363
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
WrP9
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
HAT2185WPWS-E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Renesas Electronics Corporation
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
20W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-WPAK (3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MMBF170LT3G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
MMSF7P03HDR2
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
BUK7M45-40EX
MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
