Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QJD1210SA2
Product Overview
Κατασκευαστής:
Powerex Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QJD1210SA2-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module
Αποθέμα:
12840189
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QJD1210SA2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Powerex
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 34mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
330nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8200pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
415W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Module
Βασικός αριθμός προϊόντος
QJD1210
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ECH8651R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH
FDC6320C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
NTLGD3502NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
