PJT7838_R1_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJT7838_R1_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJT7838_R1_00001-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 50V 0.4A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 50V 400mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363

Αποθέμα:

10855 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12971931
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJT7838_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.95nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
36pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJT7838

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJT7838_R1_00001DKR
3757-PJT7838_R1_00001TR
3757-PJT7838_R1_00001CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PJL9807_R2_00001

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOP

panjit

PJT7802_S1_00001

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363

panjit

PJT7872B_R1_00001

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

vishay-siliconix

SQ4282EY-T1_BE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC