Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJT7800_R1_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJT7800_R1_00001-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 1A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
15925 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12971043
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJT7800_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
92pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJT7800
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJT7800_R1_00001TR
3757-PJT7800_R1_00001CT
3757-PJT7800_R1_00001DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJL9808_R2_00001
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
PJQ4602_R1_00001
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
PJS6816_S1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A SOT23-6
