PJS6414_S1_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJS6414_S1_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJS6414_S1_00001-DG

Περιγραφή:

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 6.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Αποθέμα:

12969945
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJS6414_S1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
400 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-6
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJS6414

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJS6414_S1_00001TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AO3493

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

vishay-siliconix

IRLL110TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

panjit

PJQ5466A1_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

infineon-technologies

IRFC130NB

MOSFET 100V 17A DIE