Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJQ5465A_R2_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJQ5465A_R2_00001-DG
Περιγραφή:
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 5A (Ta), 16A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DFN5060-8
Αποθέμα:
25724 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12971464
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJQ5465A_R2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Ta), 16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
48mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1256 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ5465
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ5465A_R2_00001TR
3757-PJQ5465A_R2_00001CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJD4NA65_R2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
IRFC5305B
MOSFET 55V 31A DIE
PJS6461_S1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
