PJQ2815_R1_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJQ2815_R1_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJQ2815_R1_00001-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 4.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount DFN2020-6L

Αποθέμα:

7770 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12993945
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJQ2815_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
907pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-VDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN2020-6L
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ2815

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ2815_R1_00001CT
3757-PJQ2815_R1_00001TR
3757-PJQ2815_R1_00001DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM5N16FU,LF

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV

infineon-technologies

FF17MR12W1M1HB70BPSA1

SIC 1200V AG-EASY1B

onsemi

NXV08B800DT1

MOSFET 80V APM17-MDC

goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP