PJQ2800_R1_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJQ2800_R1_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJQ2800_R1_00001-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.2A (Ta) 1.45W (Ta) Surface Mount DFN2020-6L

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12970404
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJQ2800_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
900mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
515pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.45W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-VDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN2020-6L
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ2800

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ2800_R1_00001CT
3757-PJQ2800_R1_00001TR
3757-PJQ2800_R1_00001DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

VEC2401-TL-E

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

vishay-siliconix

SQ4946AEY-T1_BE3

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

panjit

PJQ4848P-AU_R2_000A1

MOSFET 2N-CH 40V 9A/37A 8DFN

panjit

PJX8807_R1_00001

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563