PJQ1917_R1_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJQ1917_R1_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJQ1917_R1_00001-DG

Περιγραφή:

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 700mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3

Αποθέμα:

12970095
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJQ1917_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
700mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
51 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-UFDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ1917

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ1917_R1_00001DKR
3757-PJQ1917_R1_00001CT
3757-PJQ1917_R1_00001TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PJD25P03_L2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJW5P06A-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJP3NA80_T0_00001

800V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJA3411-AU_R2_000A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M