PJQ1820_R1_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJQ1820_R1_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJQ1820_R1_00001-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN1010-6L

Αποθέμα:

12964811
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJQ1820_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
-
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
46pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-UFDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN1010-6L
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ1820

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ1820_R1_00001CT
3757-PJQ1820_R1_00001TR
3757-PJQ1820_R1_00001DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

SH8MC5TB1

MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP

rohm-semi

QH8MB5TCR

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8

vishay-siliconix

SI4834BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

rohm-semi

QH8MC5TCR

MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A TSMT8