Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJMF900N65E1_T0_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJMF900N65E1_T0_00001-DG
Περιγραφή:
650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 25.5W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Αποθέμα:
1965 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12972289
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJMF900N65E1_T0_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
382 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
25.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ITO-220AB-F
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJMF900
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
3757-PJMF900N65E1_T0_00001TR
3757-PJMF900N65E1_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CT
3757-PJMF900N65E1_T0_00001TR-DG
3757-PJMF900N65E1_T0_00001
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CT-DG
3757-PJMF900N65E1_T0_00001CTINACTIVE
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJF60R980E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
PJS6461-AU_S1_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD45N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
