Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJMF120N60EC_T0_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJMF120N60EC_T0_00001-DG
Περιγραφή:
600V SUPER JUNCITON MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 33W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Αποθέμα:
2000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12976188
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJMF120N60EC_T0_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1960 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ITO-220AB-F
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJMF120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
3757-PJMF120N60EC_T0_00001
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTA60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
IRFB7446GPBF
IRFB7446 - POWER MOSFET
PJMP130N65EC_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
