Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJD1NA60_L2_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJD1NA60_L2_00001-DG
Περιγραφή:
600 V N-CHANNEL MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 1A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
12971964
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJD1NA60_L2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
95 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
27W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJD1NA60
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJD1NA60_L2_00001CT
3757-PJD1NA60_L2_00001TR
3757-PJD1NA60_L2_00001DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJQ5410_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SUD19P06-60-BE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
PJQ2463A_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
