Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2N7002KDW_R1_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2N7002KDW_R1_00001-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
26264 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12972614
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2N7002KDW_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
35pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
2N7002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-2N7002KDW_R1_00001CT
3757-2N7002KDW_R1_00001TR
3757-2N7002KDW_R1_00001DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJS6835_S2_00001
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT23-6
PJQ5866A-AU_R2_000A1
MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
IPG20N04S4L18AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
