Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FJ4B01100L1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panasonic Electronic Components
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FJ4B01100L1-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount XLGA004-W-0808-RA01
Αποθέμα:
12864803
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FJ4B01100L1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Panasonic
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
459 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
360mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 85°C (TA)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
XLGA004-W-0808-RA01
Συσκευασία / Θήκη
4-XFLGA, CSP
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
P123942CT
P123942TR
P123942DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
FK3906010L
MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3
IRL2203NPBF
MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB
