Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
VN2410LZL1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
VN2410LZL1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 240 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Αποθέμα:
12844904
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
VN2410LZL1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
240 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
125 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92 (TO-226)
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Βασικός αριθμός προϊόντος
VN2410
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
VN2410LZL1GOSCT
=VN2410LZL1GOSCT-DG
VN2410LZL1G-DG
VN2410LZL1GOSTB
VN2410LZL1GOSTR
VN2410LZL1GOSTR-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTGS4111PT1
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
AOT20C60PL
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
AOD2N60A
MOSFET N-CH 600V 2A TO252