Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI3442DV
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI3442DV-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Αποθέμα:
12857705
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI3442DV Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
365 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-6
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI344
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC653N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2505
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC653N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTB65N02RT4G
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
