Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RFP12N10L
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RFP12N10L-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
4251 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12842822
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RFP12N10L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 12A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
RFP12N10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
RFP12N10L-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTD70N03R-001
MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
NTP30N06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
NTD4856N-35G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
