Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RFD16N06LESM9A
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RFD16N06LESM9A-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
4847 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12858472
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RFD16N06LESM9A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+10V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
90W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RFD16N06
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RFD16N06LESM9A-DG
RFD16N06LESM9ACT
RFD16N06LESM9ADKR
RFD16N06LESM9ATR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTP5860NG
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
IRF3205ZSTRR
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
NTQS6463R2
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
